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優(yōu)勢工藝

優(yōu)勢工藝


優(yōu)勢工藝

2021/5/20 16:17:22

· 表面微加工犧牲層工藝

      多種犧牲層技術(shù),包括PI,多晶硅,SiO2,Cu和PSG等

· 微電鍍

     可利用刻蝕等工藝對塊硅進(jìn)行準三維結構的微加工,以形成所需要的硅微結構。

· 深硅刻蝕

      深反應離子腐蝕工藝,基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。其工藝步驟為:鈍化----刻蝕---鈍化----刻蝕。鈍化為反應室中通入C4F8氣體,通過(guò)化學(xué)反應形成聚合物薄膜;刻蝕為反應室中通入SF6氣體,進(jìn)行物理和化學(xué)刻蝕??涛g均勻性±5%,邊壁角度:90± 1 °,刻蝕高深寬比超高10:1。

· PZT和AlN工藝

      AlN薄膜最厚可生長(cháng)2um,6寸晶圓厚度均勻性<2%,殘余應力可控制在200MP內,FWHM低至1°。PZT薄膜。具體工藝能力包括,薄膜最厚可生長(cháng)2um,壓電系數可實(shí)現e31為15C/m2,擊穿場(chǎng)強可達200V,應力可控制在100MPa內。